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来源:cmb33.cn 扬州晚报 2020-5-15

  我国成功自主研制了4英寸高纯半绝缘碳化硅半导体材料为我国新一代雷达系统的研制奠定基础。
  
  近日我国自主研制的4英寸高纯半绝缘碳化硅(SiC)衬底产品面世。中国电子材料行业协会组织的专家认为该成果国内领先已达到国际先进水平。

  碳化硅基微波功率器件具有高频、大功率与耐高温的特性是新一代雷达系统的核心。长期以来碳化硅基微波功率器件的核心材料高纯半绝缘碳化硅衬底产品生产、加工难度大一直是国内空白国际上只有少数国家掌握该技术并一直对我国进行技术封锁与产品禁运。

  据了解碳化硅基微波器件作为当今世界最为理想的微波器件其功率密度是现有微波器件的10倍将成为下一代雷达技术的标准美军干扰机与“宙斯盾”驱逐舰的相控阵雷达已开始换装碳化硅基微波器件产品军用市场将在未来几年推动碳化硅基微波器件的快速发展。可以说研制高纯半绝缘碳化硅衬底材料是我国新一代雷达系统获得突破的核心课题之一。

  项目研发者、山东天岳公司负责人表示4英寸高纯半绝缘碳化硅半导体材料的研制成功使我国拥有了自主可控的重要战略半导体材料它将是新一代雷达、卫星通讯、通讯基站的核心并将在机载雷达系统、地面雷达系统、舰载雷达系统以及弹载雷达系统等领域实现应用。






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  近日湖南省科技厅正式下达了2015年湖南省科技重大专项立项通知由中联重科牵头承担、联合其他4家单位共同申报的“固体废弃物处置与资源化利用技术装备研发”从200个候选项目中脱颖而出成为10个科技重大专项之一。

  该项目包含“复杂混合生活垃圾分选技术与装备研发”、“污泥资源化利用关键技术与成套装置研发”与“复杂铅蓄电池破碎分选、铅膏预脱硫及副产物综合利用新技术装备研发”三个子项目。

  本年度湖南省科技重大专项涉及固废处理、超级杂交稻、中低速磁悬浮列车、互联智能电网等多个领域这些重大专项聚焦国家重大产业政策方向以及省政府重大建设项目与优势产业代表了湖南未来重点捧场的科技发展方向。

  中联重科相关负责人表示此次项目获批必将助推集团在环境产业领域的快速发展。






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